「きぼう」利用 一般区分 科学研究テーマ

「炭素質固体微粒子の宇宙風化と有機物進化の実証研究」

搭載試料対応表

実験供試体フライト品 試料設置完成図:

EE64-I(搭載位置U) およびEE64-II(搭載位置V)



実験供試体識別番号:EE64-I


搭載位置:U

U-01 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_E
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:後列、奥で約80回堆積を実施

U-02 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_a
備考:前列、奥で約90回堆積を実施

U-03 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_A
備考 : 噴出口に対して鉛直に立てた基板上で約12回堆積を実施。

U-04 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_a
備考 : 噴出口に対して鉛直に立てた基板上で約8回堆積を実施。

U-05 : Fullerene (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : C60_Si_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。

U-06 : Coronene (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_Si_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。

U-07 : BLANK (Si Substrate / Si Coated)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月20日
製造管理 : 東京大学/北海道大学
個体識別番号 : Si_COAT_Si_SUBSTRATE_A
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : U-08用レファレンス。U-08のSiコート時に同じバッチで表面にSi薄膜を付けたもの。

U-08 : Filmy Quenched Carbonaceous Composite (Si substrate / Si Coated)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月1日-2015年2月20日
製造管理 : 東京大学/北海道大学
個体識別番号 : FQCC_Si_D_SICOATED
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率(Si Coating前), 赤外吸光率(Si Coating後)
備考 : 前列、手前で約60回堆積を実施。北海道大学にてSiをコート。

U-09 : Olivine (Mg_{x}Fe_{2-x}SiO4; x=1.8)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : OLIVINE_PAKISTAN_A
備考 : Natural Stone. Pakistan

U-10 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (a-C:H) (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC_NIPPON_ITF_Si_A
備考 : NIPPON ITF, Inc.

U-11 : Pyroxene (Mg_{x}Fe_{2-x}(SiO3)2; x=1.0)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROXENE_TANZANIA_A
備考 : Natural Stone. Tanzania

U-12 : Pyroxene (Mg_{x}Fe_{2-x}(SiO3)2; x=1.8)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROXENE_KOIKE_A
備考 : Natural Stone. Koike et al.

U-13 : Peridotite

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PERIDOTITE_IBARAKI_A
備考 : Natural Stone. Ibaraki

U-14 : Anthracene C14H10 (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_Si_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積させ、裏向きで設置 

U-15 : Calcium Alminate Hydrate

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : CALCIUM_ALMINATE_HYDRATE_A
備考 : General alumina cement.
Composition is SiO2 4.7%, Al2O3 39.4 %, Fe2O3 15.4%, CaO 37.5 % and MgO, 0.7%.

U-16 : Calcium Silicate Hydrate

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : CALCIUM_SILICATE_HYDRATE_A
備考 : General portland cement.
Composition is Ca1.75SiO1.75(OH)4 38.2%, Ca(OH)2 11.4%,
ettringite (Ca6Al2(SO4)3(OH)12・26H2O) 6.2%,
hydrogarnet (Ca3(Al,Fe)2(SiO4)3-x(OH)4x) 19.7%,
porosity 24.5%
Reference: Energy Procedia 37 (2013) 5781-5792.

U-17 : Organic Globule (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANIC_GLOBULE_A
備考 : Produced by polymerization of benzene in a plasma field.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 703 (2009) L147-L151.

U-18 : Organic Globule (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANIC_GLOBULE_A
備考 : Produced by polymerization of benzene in a plasma field.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 703 (2009) L147-L151.

U-19 : Hydrogenated Amorphous Carbon (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : HAC_EUC_SiO2_A
備考 : 裏向きに設置。

U-20 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_H
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率(Si Coating前), 赤外吸光率(Si Coating後)
備考 : Coroneneより作成。作成日2015年2月26日。2015年3月2日に北海道大学でSi coating処理済み

U-21 : Chrysene C18H12 (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CHRYSENE_SiO2_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積。裏向き設置。 

U-22 : Chrysene C18H12 (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CHRYSENE_Si_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。 

U-23 : Amorphous Alumina (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_ALUMINA_Si_A
備考 : Chemical formula is Al2O3 (99.9%).

U-24 : Glycolaldehyde Dimer (SiO2 カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_Si_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。 

U-25 : Organics on graphite by FT reaction (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANICS_ON_GRAPHITE_Si_A
備考 : Produced by catalytic reaction on a surface
of graphite from H2, N2 and CO.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Abundance of N and O is negligible.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 710 (2010) L98-L101.
Nanoscience and Nanotechnology Letters, 3 (2011) 4-10.

U-26 : Organics on graphite by FT reaction (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANICS_ON_GRAPHITE_SiO2_A
備考 : Produced by catalytic reaction on a surface
of graphite from H2, N2 and CO.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Abundance of N and O is negligible.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 710 (2010) L98-L101.
Nanoscience and Nanotechnology Letters, 3 (2011) 4-10.

U-27 : Diamond-like Carbon; ta-CX (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_ta-CX_SiO2_A
備考 : Interface Inc. 裏向きに設置。

U-28 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_D
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。作成日2015年2月26日。


U-29 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_J
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。作成日2014年9月25日。


U-30 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CHRYSENE_F
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Chryseneより作成。作成日2015年3月4日, 50sec。


U-31 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_D
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:中央列、手前で約85回堆積を実施

U-32 : Silicon Substrate

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : Si_SUBSTRATE_A
備考 : コンタミ評価用、Si基板。

U-33 : GIANT_FULLERENE (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : GIANT_FULLERENE_Si_A
備考 : Produced by catalytic disproportionation of CO gas
by the Boudouard reaction using Ti wire.
Chemical formula is unknown, but C60 and related fullerene and minor Ti.
References: The Astrophysical Journal Letters, 632 (2005) L159-L162.
Meteoritics & Planetary Science, 41 Nr 5 (2006) 673-680.

U-34 : GIANT_FULLERENE (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : GIANT_FULLERENE_SiO2_A
備考 : Produced by catalytic disproportionation of CO gas
by the Boudouard reaction using Ti wire.
Chemical formula is unknown, but C60 and related fullerene and minor Ti.
References: The Astrophysical Journal Letters, 632 (2005) L159-L162.
Meteoritics & Planetary Science, 41 Nr 5 (2006) 673-680.

U-35 : Diamond-like Carbon; GLC (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_GLC_SiO2_A
備考 : Interface Inc. 裏向きに設置。

U-36 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : HDLC_SiO2_A
備考 : Interface Inc. 裏向きに設置。

U-37 : Fullerene (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : C60_SiO2_THIN_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積。裏向き設置。

U-38 : Coronene (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_SiO2_THIN_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。裏向き設置。

U-39 : Hydrogen-bearing SiO2 (SiO2:H)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学/大阪産業大学
個体識別番号 : HYDROGEN_BEARING_SIO2_A
備考 : Chihara et al.

U-40 : Amorphous Silicate

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_SILICATE
備考 : KANTO Chemical Co., Inc.

U-41 : Onion-like Carbon (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ONION_LIKE_CARBON_Si_A
備考 : Produced by combustion of methane gas.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: Carbon, 42/1 (2004) 33-38.

U-42 : Onion-like Carbon (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ONION_LIKE_CARBON_Si_A
備考 : Produced by combustion of methane gas.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: Carbon, 42/1 (2004) 33-38.

U-43 : Hydrogenated Amorphous Carbon (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : HAC_EUC_Si_A
備考 :

U-44 : Fullerene (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : C60_Si_X
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に薄膜堆積。裏面にCryseneを蒸着したSiO2カバーを設置。

U-45 : Olivine (Mg_{x}Fe_{2-x}SiO4; x=1.5)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : OLIVINE_MIYAKE_A
備考 : Natural Stone. Miyake Island, Tokyo, Japan.

U-46 : Graphite (natural stone)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : GRAPHITE_NATURAL_A
備考 : Mexico産。

U-47 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_F
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:後列、中央で約80回堆積を実施。インジウムを背面にはさむ。

U-48 : Anthracite (natural stone)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : ANTHRACITE_A
備考 : アメリカ合衆国産。

U-49 : Polyethylene 1

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE1_A
備考 : Aldrich Chem. (mp 130-145℃).

U-50 : Amorphous Alumina (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_ALUMINA_SiO2_A
備考 : Chemical formula is Al2O3 (99.9%).

U-51 : Diamond-like Carbon; ta-CX (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_TA-CXN_Si_A
備考 : Interface Inc.

U-52 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年12月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_ANTHRACENE_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : ANTHRACENEより作成。作成日2015年12月。
2015年12月8日に日本分光で顕微赤外分光透過率測定実施。
2015年12月10日に電気通信大学でXPS測定実施。
合成石英カバーをつけて設置。

U-53 : Mesophase Carbon 1

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : MESOPHASE_CARBON_1_A
備考 :

U-54 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC1_SI_A
備考 : Interface Inc.

U-55 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_C60_A
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : C60より作成。作成日2015年2月。3回×6サイクル以上堆積。
2015年3月4日に電気通信大学でXPS測定実施。
合成石英カバーをつけて設置。

U-56 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (SiO2 substrate + SiO2 カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_b
備考:前列、中央で60回堆積を実施

U-57 : Polyethylene 2

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE2_A
備考 : Sumitomo Seika; LE-1080

U-58 : Polystyrene 1

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYSTYRENE1_A
備考 : White.

U-59 : Diamond-like Carbon; GLC (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_GLC_Si_A
備考 : Interface Inc.

U-60 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年12月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CHRYSENE_A
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Chryseneより作成。作成日2015年2月。
2015年3月4日に電気通信大学でXPS測定実施。
合成石英カバーをつけて設置。

U-61 : Mesophase Carbon 2

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : MESOPHASE_CARBON_2_A
備考 :

U-62 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (a-C:H)

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC_NIPPON_ITF_Si_B
備考 : NIPPON ITF, Inc.

U-63 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_G
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。作成日2015年2月26日。
2015年3月4日電気通信大学でXPS測定実施。

U-64 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : DQCC_Si_2_A
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : 噴出口に対して鉛直に立てたSi基板上で約2回堆積を実施。

実験供試体識別番号:EE64-II


搭載位置:V

V-01 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_G
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:後列、奥で約80回堆積を実施

V-02 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_c
備考:前列、奥で約80回堆積を実施

V-03 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : 噴出口に対して鉛直に立てた基板上で約12回堆積を実施。

V-04 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_b
備考 : 噴出口に対して鉛直に立てた基板上で約8回堆積を実施。

V-05 : Fullerene (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : C60_SiO2_A
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積。表向き設置。

V-06 : Coronene (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_Si_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。

V-07 : BLANK (Si Substrate / Si Coated)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月20日
製造管理 : 東京大学/北海道大学
個体識別番号 : Si_COAT_Si_SUBSTRATE_B
備考 : V-08用レファレンス。V-08のSiコート時に同じバッチで表面にSi薄膜を付けたもの。

V-08 : Filmy Quenched Carbonaceous Composite (Si substrate / Si Coated)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月1日-2015年2月20日
製造管理 : 東京大学/北海道大学
個体識別番号 : FQCC_Si_A_SICOATED
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率(Si Coating前), 赤外吸光率(Si Coating後)
備考 : 中央列、奥で約80回堆積を実施。北海道大学にてSiをコート。

V-09 : Olivine (Mg_{x}Fe_{2-x}SiO4; x=1.8)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : OLIVINE_PAKISTAN_B
赤外線ATR分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Natural Stone. Pakistan

V-10 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (a-C:H) (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC_NIPPON_ITF_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : NIPPON ITF, Inc.

V-11 : Pyroxene (Mg_{x}Fe_{2-x}(SiO3)2; x=1.0)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROXENE_TANZANIA_B
赤外線ATR分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Natural Stone. Tanzania

V-12 : Pyroxene (Mg_{x}Fe_{2-x}(SiO3)2; x=1.8)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROXENE_KOIKE_B
赤外線ATR分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Natural Stone. Koike et al.

V-13 : Peridotite

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PERIDOTITE_IBARAKI_B
赤外線ATR分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Natural Stone. Ibaraki
日本分光で顕微赤外ATR分光測定データあり(2014/12/8)。

V-14 : Anthracene C14H10 (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_Si_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積させ、裏向きで設置 

V-15 : Calcium Alminate Hydrate

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : CALCIUM_ALMINATE_HYDRATE_B
備考 : General alumina cement.
Composition is SiO2 4.7%, Al2O3 39.4 %, Fe2O3 15.4%, CaO 37.5 % and MgO, 0.7%.

V-16 : Calcium Silicate Hydrate

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : CALCIUM_SILICATE_HYDRATE_B
備考 : General portland cement.
Composition is Ca1.75SiO1.75(OH)4 38.2%, Ca(OH)2 11.4%,
ettringite (Ca6Al2(SO4)3(OH)12・26H2O) 6.2%,
hydrogarnet (Ca3(Al,Fe)2(SiO4)3-x(OH)4x) 19.7%,
porosity 24.5%
Reference: Energy Procedia 37 (2013) 5781-5792.

V-17 : Organic Globule (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANIC_GLOBULE_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Produced by polymerization of benzene in a plasma field.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 703 (2009) L147-L151.

V-18 : Organic Globule (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANIC_GLOBULE_B
備考 : Produced by polymerization of benzene in a plasma field.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 703 (2009) L147-L151.

V-19 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_ANTHRACENE_A_SICOAT
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率(Si Coating前), 赤外吸光率(Si Coating後)
備考 : Anthraceneより作成。2015年2月20日に北海道大学でSi Coating処理済み。

V-20 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_K
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率(Si Coating前), 赤外吸光率(Si Coating後)
備考 : Coroneneより作成。作成日2015年2月26日。2015年3月2日に北海道大学でSi coating処理済み

V-21 : Chrysene C18H12 (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CHRYSENE_SiO2_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積。裏向き設置。 

V-22 : Chrysene C18H12 (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CHEYSENE_Si_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。 

V-23 : Amorphous Alumina (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_ALUMINA_Si_B
備考 : Chemical formula is Al2O3 (99.9%).

V-24 : Glycolaldehyde Dimer (SiO2 カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_Si_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。 

V-25 : Organics on graphite by FT reaction (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANICS_ON_GRAPHITE_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Produced by catalytic reaction on a surface
of graphite from H2, N2 and CO.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Abundance of N and O is negligible.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 710 (2010) L98-L101.
Nanoscience and Nanotechnology Letters, 3 (2011) 4-10.

V-26 : Organics on graphite by FT reaction (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ORGANICS_ON_GRAPHITE_SiO2_B
備考 : Produced by catalytic reaction on a surface
of graphite from H2, N2 and CO.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Abundance of N and O is negligible.
Reference: The Astrophysical Journal Letters, 710 (2010) L98-L101.
Nanoscience and Nanotechnology Letters, 3 (2011) 4-10.

V-27 : Diamond-like Carbon; ta-CX (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_ta-CX_SiO2_B
備考 : Interface Inc. 裏向きに設置。

V-28 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_E
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。作成日2015年2月26日。


V-29 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_L
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。作成日2014年9月24日(G#2)。


V-30 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CHRYSENE_H
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Chryseneより作成。作成日2015年3月4日, 50sec。


V-31 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_L
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:中央列、手前で約85回堆積を実施

V-32 : Silicon Substrate

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : Si_SUBSTRATE_A
備考 : コンタミ評価用、Si基板。

V-33 : Giant Fullerene (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : GIANT_FULLERENE_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Produced by catalytic disproportionation of CO gas
by the Boudouard reaction using Ti wire.
Chemical formula is unknown, but C60 and related fullerene and minor Ti.
References: The Astrophysical Journal Letters, 632 (2005) L159-L162.
Meteoritics & Planetary Science, 41 Nr 5 (2006) 673-680.

V-34 : Giant Fullerene (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : GIANT_FULLERENE_SiO2_B
備考 : Produced by catalytic disproportionation of CO gas
by the Boudouard reaction using Ti wire.
Chemical formula is unknown, but C60 and related fullerene and minor Ti.
References: The Astrophysical Journal Letters, 632 (2005) L159-L162.
Meteoritics & Planetary Science, 41 Nr 5 (2006) 673-680.

V-35 : Diamond-like Carbon; GLC (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_GLC_SiO2_B
備考 : Interface Inc. 裏向きに設置。

V-36 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : HDLC_SiO2_B
備考 : Interface Inc. 裏向きに設置。

V-37 : Fullerene (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : C60_SiO2_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に厚膜堆積。裏向き設置。

V-38 : Coronene (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_SiO2_THIN_B
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に薄膜堆積。裏向き設置。

V-39 : Hydrogen-bearing SiO2 (SiO2:H)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学/大阪産業大学
個体識別番号 : HYDROGEN_BEARING_SIO2_B
備考 : Chihara et al.

V-40 : Amorphous Silicate

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_SILICATE_B
備考 : KANTO Chemical Co., Inc.

V-41 : Onion-like Carbon (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ONION_LIKE_CARBON_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Produced by combustion of methane gas.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: Carbon, 42/1 (2004) 33-38.

V-42 : Onion-like Carbon (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : ONION_LIKE_CARBON_Si_B
備考 : Produced by combustion of methane gas.
Chemical formula is unknown, but composed of C and H.
Reference: Carbon, 42/1 (2004) 33-38.

V-43 : Hydrogenated Amorphous Carbon (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : HAC_EUC_SiO2_B
備考 : 裏向きに設置。

V-44 : Hydrogenated Amorphous Carbon (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : HAC_EUC_Si_B
備考 :

V-45 : Olivine (Mg_{x}Fe_{2-x}SiO4; x=1.5)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : OLIVINE_MIYAKE_B
備考 : Natural Stone. Miyake Island, Tokyo, Japan.

V-46 : Graphite (natural stone)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : GRAPHITE_NATURAL_B
備考 : Mexico産。

V-47 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : 真ん中の列、中央で80回堆積。インジウムを背面にはさむ。

V-48 : Anthracite (natural stone)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : ANTHRACITE_B
備考 : アメリカ合衆国産。

V-49 : Polyethylene 1

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE1_B
備考 : Aldrich Chem. (mp 130-145℃).

V-50 : Amorphous Alumina (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 北海道大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_ALUMINA_SiO2_B
備考 : Chemical formula is Al2O3 (99.9%).

V-51 : Diamond-like Carbon; ta-CX (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_TA-CXN_Si_B
備考 : Interface Inc.

V-52 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年12月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_ANTHRACENE_A
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : ANTHRACENEより作成。作成日2015年12月。
2015年12月8日に日本分光で顕微赤外分光透過率測定実施。
2015年12月10日に電気通信大学でXPS測定実施。
合成石英カバーをつけて設置。

V-53 : Mesophase Carbon 1

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : MESOPHASE_CARBON_1_B
備考 :

V-54 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC1_SI_B
備考 : Interface Inc.

V-55 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_C60_C
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : C60より作成。作成日2015年2月。2回×2サイクル堆積。
合成石英カバーをつけて設置。

V-56 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (SiO2 substrate + SiO2 カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : FQCC_SiO2_d
備考:前列、奥で4回堆積を実施

V-57 : Polyethylene 3

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE3_A
備考 : University of Tokyo

V-58 : Polystyrene 2

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYSTYRENE2_A
備考 : White.

V-59 : Diamond-like Carbon; GLC (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : DLC_GLC_Si_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Interface Inc.

V-60 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年12月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CHRYSENE_C
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Chryseneより作成。作成日2015年2月。
2015年3月4日に電気通信大学でXPS測定実施。
合成石英カバーをつけて設置。

V-61 : Mesophase Carbon 2

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : MESOPHASE_CARBON_2_B
備考 :

V-62 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (a-C:H)

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC_NIPPON_ITF_Si_D
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : NIPPON ITF, Inc.

V-63 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite (Si substrate + SiO2カバー)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。作成日2015年2月26日。
2015年3月4日電気通信大学でXPS測定実施。

V-64 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2014年10月3日-2015年2月5日
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : DQCC_Si_2_B
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : 噴出口に対して鉛直に立てたSiO2基板上で約2回堆積を実施。