「きぼう」利用 一般区分 科学研究テーマ

「炭素質固体微粒子の宇宙風化と有機物進化の実証研究」

搭載試料対応表

実験供試体フライト品 試料設置完成図：

EE64-III(搭載位置V)




実験供試体識別番号：EE64-III


搭載位置：V002

V002-01 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : QCC_B03
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-02 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : QCC_H03
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-03 : Blank (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-04 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : QCC_D02
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施

V002-05 : Nitrogen-Containing (5%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : N005QCC_B03
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-06 : Nitrogen-Containing (5%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : N005QCC_H03
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-07 : Blank (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-08 : Nitrogen-Containing (5%) Dark Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : N005QCC_D01
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-09 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : QCC_B07 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-10 : Filmy Quenched Carboncaceous Composite (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : QCC_H08 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-11 : Filmy Quenched Carbonaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : QCC_B08 + SiO2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。SiO2カバー有り。

V002-12 : Dark Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : QCC_D01 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-13 : Nitrogen-Containing (5%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : N005QCC_B04 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-14 : Nitrogen-Containing (5%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : N005QCC_H04 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-15 : Nitrogen-Containing (5%) Dark Quneched Carbonaeous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : N005QCC_D03 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-16 : Nitrogen-Containing (5%) Dark Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年7月-2015年9月
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : N005QCC_D02 + SiO2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約10回堆積を実施。SiO2カバー有り。

V002-17 : Deuterated (100%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D100QCC_B01
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-18 : Deuterated (100%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D100QCC_H01
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約60回堆積を実施

V002-19 : Deuterated (100%) Dark Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学 個体識別番号 : D100QCC_D01
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施

V002-20 : Blank (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-21 : Deuterated (20%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月-2015年3月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D020QCC_B02
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約80回堆積を実施

V002-22 : Blank (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-23 : Blank (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-24 : Blank (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-25 : Deuterated (100%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D100QCC_B06 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-26 : Deuterated (100%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (片面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D100QCC_H05 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-27 : Deuterated (100%) Dark Quenched Carbonaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年10月-2016年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D100QCC_D02 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約30回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-28 : Blank (両面研磨 Si substrate + MgF2)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A 個体識別番号 : N/A
備考:両面研磨Si基板。MgF2カバー有り。

V002-29 : Deuterated (20%) Filmy Quenched Carboncaceous Composite (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月-2015年3月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : D020QCC_B01 + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考:約80回堆積を実施。MgF2カバー有り。

V002-30 : Blank (片面研磨 Si substrate + MgF2)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A 個体識別番号 : N/A
備考:片面研磨Si基板。MgF2カバー有り。

V002-31 : Blank (両面研磨 Si substrate + MgF2)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A 個体識別番号 : N/A
備考:両面研磨Si基板。MgF2カバー有り。

V002-32 : Blank (両面研磨 Si substrate + SiO2)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A 個体識別番号 : N/A
備考:両面研磨Si基板。SiO2カバー有り。

V002-33 : 合成グラファイト (T-5)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : GRAPHITE_T-5
備考 :

V002-34 : Pyrolytic Graphite A

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROLYTIC_GRAPHITE_A
備考 : TOMOE Engineering Co.,Ltd

V002-35 : Graphite (natural stone)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : GRAPHITE_NATURAL_A
備考 : Mexico産。

V002-36 : Hydrogen-Containing Diamond-like Carbon (a-C:H)

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : HDLC_NIPPON_ITF_SI
備考 : NIPPON ITF, Inc.

V002-37 : Shungite

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : SHUNGITE_NATURAL_A
備考 : 加工品(木村)

V002-38 : Blank (MgF2基板)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考 : Japan Cell

V002-39 : Fullerene (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : C60_SI
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。

V002-40 : Anthracene C14H10 (SiO2 substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : ANTHRACENE_SI
備考 : 10mmφ 1mm厚のSiO2基板上に堆積させ、裏向きで設置　

V002-41 : 合成グラファイト (T-6)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : GRAPHITE_T-6
備考 :

V002-42 : Pyrolytic Graphite C

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROLYTIC_GRAPHITE_C
備考 : TOMOE Engineering Co.,Ltd

V002-43 : Diamond

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : DIAMOND
備考 :

V002-44 : Anthracite (natural stone)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : ANTHRACITE
備考 : アメリカ合衆国産。

V002-45 : Shungite

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : SHUNGITE_NATURAL_B
備考 : 天然石(和田)

V002-46 : Blank (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-47 : Coronene (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CORONENE_SI
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。

V002-48 : Chrysene C18H12 (Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : 2015年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : CHRYSENE_SI
備考 : 10mmφ 1mm厚のSi基板上に堆積。表向き設置。　

V002-49 : Polyethylene 1

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE_1
備考 : Aldrich Chem. (mp 130-145℃).

V002-50 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_40S_20150226_C + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。窒素プラズマとの反応時間は40s。作成日2015年2月26日。
MgF2カバーをつけて設置。

V002-51 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CORONENE_40S_20150226_F + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : Coroneneより作成。窒素プラズマとの反応時間は40s。作成日2015年2月26日。
MgF2カバーをつけて設置。

V002-52 : Nitrogen Bearing Carbonaceous Composite

[詳細事項]
製造期間 : 2015年2月
製造管理 : 東京大学
個体識別番号 : NBCC_CHRYSENE_50S_20150304_I + MgF2
赤外線分光測定データ (Bruker Optics IFS125S) : 赤外吸光率
備考 : CHRYSENEより作成。窒素プラズマとの反応時間は50s。作成日2015年3月04日。
MgF2カバーをつけて設置。

V002-53 : Olivine (Mg_{x}Fe_{2-x}SiO4; x=1.8)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : OLIVINE_PAKISTAN
備考 : Natural Stone. Pakistan

V002-54 : Olivine (Mg_{x}Fe_{2-x}SiO4; x=1.5)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : OLIVINE_MIYAKE
備考 : Natural Stone. Miyake Island, Tokyo, Japan.

V002-55 : Pyroxene (Mg_{x}Fe_{2-x}(SiO3)2; x=1.0)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROXENE_TANZANIA
備考 : Natural Stone. Tanzania

V002-56 : Pyroxene (Mg_{x}Fe_{2-x}(SiO3)2; x=1.8)

[詳細事項]
製造期間 : 調達品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : PYROXENE_KOIKE
備考 : Natural Stone. Koike et al.

V002-57 : Polyethylene 2

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE_2
備考 : Sumitomo Seika; LE-1080

V002-58 : Polyethylene 3

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYETHYLENE_3
備考 : University of Tokyo

V002-59 : Polystyrene 1

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYSTYRENE_1
備考 : White.

V002-60 : Polystyrene 2

[詳細事項]
製造期間 : 購入品
製造管理 : 電気通信大学/東京大学
個体識別番号 : POLYSTYRENE_2
備考 : 透明

V002-61 : Blank (両面研磨 Si substrate)

[詳細事項]
製造期間 : N/A
製造管理 : N/A
個体識別番号 : N/A
備考:N/A

V002-62 : Amorphous Silicate (OBSIDIAN)

[詳細事項]
製造期間 : 天然石
製造管理 : 電気通信大学／東京大学
個体識別番号 : SiO2_OBSIDIAN
備考: 黒曜石(OBSIDIAN)

V002-63 : Amorphous Silicate

[詳細事項]
製造期間 : 2016年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_SILICATE_1
備考 : KANTO Chemical Co., Inc.

V002-64 : Amorphous Silicate

[詳細事項]
製造期間 : 2016年1月
製造管理 : 電気通信大学
個体識別番号 : AMORPHOUS_SILICATE_2 + MgF2
備考 : KANTO Chemical Co., Inc.